Компания Toshiba America анонсировала новую микросхему флэш-памяти. По словам разработчиков, эта схемотехника положит начало новому поколению флэш-памяти BiCS FLASH с трехмерной многоуровневой структурой запоминающих ячеек. Главной особенностью последней разработки компании Toshiba America в сфере схемотехники следует назвать возможность увеличения объема и повышение технических характеристик микросхем флэш-памяти.

Новая микросхема флэш-памяти BiCS FLASH – это первое в мире 48-слойное 256-гигабитное флэш-устройство. Схемотехника основана на самой совершенной в сфере технологии Triple-Level Cell – трехуровневая ячейка или TLC. Совсем скоро компания-разработчик может начать поставки.

Что это за микросхема - Toshiba BiCS FLASH?

Схемотехника BiCS FLASH от компании Toshiba основана на новейшем процессе производства 48-слойных структур. Этот подход разработчиков делает возможным создавать память больших объемов, с большим количеством циклов записи чтения и высокоскоростной записью, чем стандартная двумерная флэш-память NAND.

Новое устройство объемом в 32 Гбайта или 256 Гбит можно применять в ряде технологий, мобильных гаджетов и девайсов. В их числе потребительские твердотельные накопители, смартфоны, планшетные компьютеры, карты памяти и твердотельные накопители для центров обработки данных.

Впервые о начале производства новых микросхем флэш-памяти компания Toshiba сообщила в 2007 году. Все это время компания продолжала заниматься разработкой устройства. Главной целью в производстве Toshiba BiCS FLASH разработчики называли оптимизацию флэш-памяти для обеспечения дальнейшей возможности использования устройств в серийной разработке ИС. Именно по этой причине специалисты Toshiba America учитывали такие моменты, как возможный рост рынка флэш-памяти в 2016 году и более поздних периодах.

Сейчас уже очевидно, что компания Toshiba плавно переходит на BiCS FLASH микросхемы. За счет этой схемотехники они увеличат предложение продукции собственного производства.

Компания Toshiba имеет большой опыт в области производства компонентов памяти. На данном этапе своего развития предприятие явно занимается подготовкой к серийному производству BiCS FLASH. Это доказывает наличие открытия новой фабрики Fab2 в Йоккаити. Здесь уже осуществляется производство флэш-памяти NAND. Окончание строительства Fab2 запланировано на начало 2016 год.