В декабре 2015 года, в преддверии новогодних праздников, многие производители схемотехники поспешили представить свои последние разработки. Среди них оказалась и компания Fujitsu. Производитель анонсировало новое зарядное устройство для смартфонов невероятно малых размеров. По мнению самих разработчиков, ничего аналогичного на рынке пока нет.

Свою разработку компания приурочила к экспозиции Big Sight. Мероприятие прошло в Токио в период с 10 по 12 декабря. Свою новинку компания Fujitsu Laboratories представила весьма уникальным способом, назвав зарядное для смартфонов не просто самым компактным устройством, но и самым эффективным во всем мире.

Представители компании Fujitsu Laboratories для производства необычайно компактного зарядного устройства использовали нанотехнологии. Речь идет о новых силовых транзисторах. Последние, в свою очередь, разработаны на основе нитрида галлия (GaN). Сегодня подобные технологии редко используются в производстве бытовых электроприборов.

Схемотехника, создаваемая на базе нитрида галлия, GaN демонстрирует способность работы на сверхскоростных частотах. Последние показатели в десятки раз превышают те, которые были заявлены в традиционных кремниевых полевых транзисторах. Достичь этих результатов можно благодаря высокой подвижности электронов в нитриде галия. Новые GaN-схемотехника могут похвастаться низким динамическим сопротивлением, обладают невысокими пороговыми напряжением переключения.

Компания Fujitsu Laboratories смогла создать первый блок питания для мобильных гаджетов и девайсов на основе нитрид галлиевых транзисторов.

Все названные выше технические характеристики зарядных устройств, построенных на основе GaN-схемотехники, позволяют существенно сократить внешние параметры блоков питания, так как устройства могут отдавать нагрузке повышенные токи с уменьшенными потерями при преобразовании.

Так, на выставке в Токио компания Fujitsu представила новые зарядные устройства, построенные на базе GaN-схемотехники, для смартфонов. Блоки отличаются малыми объемами кубических сантиметров, при отдаче нагрузки до 12 Вт.

КПД новых блоков питании компании Fujitsu составляет почти 90%. Это невероятно высокие технические характеристики.

И, наконец, еще один немаловажный момент – высокие токи. Согласно заявленным характеристикам, емкость батарей смартфонов с каждым днем увеличивается. Следовательно, блоки питания неизбежно должны выпускаться с более высоким коэффициентом полезного действия.

Чем больше показатели КПД преобразователя, тем меньше электроэнергии сгорает впустую. А это значит, что разработчики GaN-схемотехники достигли экономии и экологичности, создавая транзисторы на основе нитрила галлия.

Применение компанией Fujitsu схемотехники на основе GaN максимально ликвидирует паразитные переходные процессы в ходе преобразовании сетевого электричества в ток, требуемый для обеспечения полного заряда аккумуляторной батареи смартфонов и других современных мобильных девайсов.

Вывод один: блоки питания на основе GaN-транзисторов являются лучшей из лучших «пил» при преобразовании импульса, способной не уходить в минус.

Батареи в мобильных устройствах будут заряжаться намного быстрее, в случае, если зарядное устройство, используемое для этих целей, окажется достаточно мощным. По мнению специалистов компании Fujitsu, создавших блоки на основе GaN-транзисторов, представленное зарядное устройство позволит заряжать аккумуляторные батареи на смартфонах и других мобильных устройствах всего за одну третью часть необходимого времени для выполнения аналогичного задания стандартными блоками.

Уже зимой 2016 года в Америке начнет действовать новое требование, согласно которому продажи зарядных устройств с уровнем коэффициента полезного действия будут соответствовать требованиям новых стандартов типа «Level VI». Блок питания Fujitsu по своим характеристикам не просто соответствует требованиям Level VI, но и превышает их, не нарушая действующих законодательных баз, включая и законодательство США. КПД зарядных GaN-схемотехники удовлетворяет требованиям нового стандарта Level VI (Fujitsu Laboratories)

Начало продаж сверхмощных и невероятно компактных блоков запланировано на весну 2017 году.